HCCV系列是由海创自主研发的等离子增强化学气相沉积设备，是一种在真空环境中利用等离子技术在品圆表面上生成薄膜的设备。

该系列设备可广泛应用于半导体行业晶圆上各种功能性薄膜的制备，包括氧化物薄膜、氮化物膜等，具有镀膜均匀性好、膜厚可控性强、生产性高、稼动率高等特点。设备还配备有多种特色功能，如高密度等离子技术、高耐久性Showhead、模块化温控等技术，满足用户工艺高标准的需要。

应用领域

微机电系统(MEMS)

图像传感器(CIS)

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)

先进封装(ADVANCED PACKAGE)

灵活工艺

硅氧化物(PE-TEOS,PTEOS,PEOX,ON Stack等)

硅氮化物/硅氮氧化物(P-SiN,D-SiN,HT-SiN,SiON等)

可配合新工艺开发

特点/优势

Twin Chamber,便于对应高生产性

4轴真空机器人，双层x双臂结构，精准高效

EFEM、传输腔紧凑型设计，节省空间

高沉积速率、优秀的均一性表现

用户友好

基于Windows操作系统用户界面

便利的用户界面设计，快速上手

7X24小时用户服务、安装服务、主动维护

HCCV 系列主要规格参数

HCCV 系列亮点

亮点1:高效率双层X双臂真空机器人使用，高效取放产品-Twin Chamber 同时作业，高效薄膜沉积*多可配置3组工艺腔。

亮点2:Showerhead优化微孔分布，确保成膜均一性使用特殊涂层工艺，提高清洁效率，提高设备稼动率提高Showerhead耐腐蚀性，减少副产物的生成。